Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Samsung startuje sériovou výrobu 1Gbit DDR2

Samsung 1Gb DDR2

Společnost Samsung Electronics před pár dny oznámila, že začíná sériovou výrobu 1Gbitových DDR2 paměťových čipů za pomoci 90nm výrobního procesu. Poslední měsíc prošly tyto Samsung 1Gb DDR2 400/533 i kvalitativními testy u Intelu. Dle analytiků z agentury Dataquest poroste trh 1Gbitových DRAM pamětí velmi rychle ze současných 1,3 miliardy dolarů za rok 2005 až na 17 miliard v roce 2008. Sama společnost Samsung očekává, že tyto čipy budou jedním z vedoucích produktů pro příští dva roky. V posledním čtvrtletí tohoto roku chce společnost Samsung mít výrobní produkci u těchto čipů na hodnotě jednoho miliónu kusů měsíčně.

Parametry jsou následující: struktura 32M×4×8, 16M×8×8 (pouzdro 68-ball FBGA) nebo 8M×16×8 (pouzdro 84-ball FBGA), napájení 1,8 V, časování CL3-3-3 resp. CL4-4-4 při 400 resp. 533 MHz, průměrná obnovovací doba 7,8 µs při teplotách 0 až 85°C a 3,9 µs při teplotách 85 až 95°C.

Zdroje: 

David "David Ježek" Ježek

Bývalý zdejší redaktor (2005-2017), nyní diskusní rejpal.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Samsung startuje sériovou výrobu 1Gbit DDR2

Žádné komentáře.