Společnost Samsung ohlásila, že dokončila vývoj GDDR3 paměťových čipů pro grafické karty o rychlosti 2,0 GHz. Kapacita jednotlivých čipů je 512 Mbit, výroba probíhá 90nm výrobním procesem. Ve výsledku dává toto řešení propustnost 8,0 GB/s což je o 70 % rychlejší než konvenční 1,2 GHz čipy.

Samsung také startuje masovou produkci čipů o stejné kapacitě s nižší rychlostí 1,6 GHz, které společnost vyvinula v prosinci loňského roku. Ty mají přenosovou ryclost 6,4 GB/s. Jsou dostupné v celkové maximální kapacitě 1 GB, která kombinuje 16 těchto čipů. Fyzické provedení je 136pinové FBGA, plně vyhovující JEDEC standardům. Využití těchto pamětí vidí výrobce například i v herních konzolích nové generace (jako Playstation 3, Xbox 360 apod.).