Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Diskuse k Toshiba vyvinula 65nm XLL SRAM pro rychlé buzení z Deep Sleep stavu

"(energetické ztráty) přibližně tisíckrát menší. Tam kde typické MCU čipy vyžadují stand-by proud výrazně přes 1 µA, vystačí si řešení od Toshiby s pouze 27 fA ... tedy místo řádu 10e-6 jsme v řádu 10e-15."

Týbrďo. Posun o 9 řádů je "tisíckrát". Něco se nám ztratilo v překladu. Za prvé srovnáváte jabka s hruškama. Typický MCU čip ať si vyžaduje co chce, ale se samotnou pamětí ho srovnávat nemá smysl. A za druhé 27 fA je na bit, ne na čip.

+1
+5
-1
Je komentář přínosný?

Při 27 fA na bit a 100 kB, tedy 800 000 bitů to máme 21,6 nanoampérů. Nevím, jestli je to tisícinásobný zlepšení, protože i starý low power SRAMky žerou pod mikroampér.

+1
-1
-1
Je komentář přínosný?

O tisícině se píše v odkazovaném zdroji. Jistě si to přifoukli výběrem vhodně nevhodného příkladu, ale ne tolik mimózně jako pan Ježek :-)

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.