Čínští výrobci modulů přestávají odebírat čipy od Samsungu a Hynixu

Čína již zhruba dvanáct let pracuje na snižování závislosti na zahraničních dodavatelích hardwaru, k čemuž ji přiměly vývozní omezení a obstrukce ze strany Spojených států, které začaly v roce 2014. Jak tyto obstrukce sílily, stala se ze snižování závislosti snaha o dosažení soběstačnosti, která v poslední době začíná získávat velmi reálné obrysy.

CXMT nabízí i LPDDR5, které mají uplatnění od telefonů a tabletů, přes notebooky až po akcelerátory (CXMT)

Čínští výrobci pamětí a úložišť (Gloway, KingBank a další) totiž přestávají odebírat DRAM a NAND flash čipy od Hynixu a Samsungu (Micron ve výčtu nechybí z toho důvodu, že by měl nějakou výjimku, ale protože již není využíván delší dobu). Zahraniční dodávky nahrazují tuzemští výrobci CXMT (především pro DRAM) a YMTC (především pro NAND flash). Narůstání soběstačnosti čínského trhu mimo jiné znamená, že pro ostatní svět zůstává více DRAM a NAND flash z produkce Hynixu a Samsungu, jinými slovy pozvolna zlepšuje zásobování, mimo jiné v západním světě.

Je trochu paradoxní, že tyto události jsou důsledkem státní podpory, v jejímž důsledku musejí čínští výrobci dát prioritu zlepšení stability domácího trhu před vlastním obohacením na vlně AI. Navzdory tomu má tato politika příznivý dopad i na mimočínské trhy.

Hynix se zaměří na klasické DRAM, jsou na nich už větší marže než na HBM 

Hynix se stal nejhodnotnější korejskou společností, překonal i Samsung. Důvodem je, že společnost zvládla rychleji zavést na trh HBM3E paměti, které staly nejžádanější artiklem během AI boomu. Kombinaci jejich datové propustnosti, kapacity a energetických nároků zkrátka nelze ničím jiným nahradit. Samsung, který měl v jejich dotažení mírný skluz, tak přišel o pozici, které dosáhl s HBM3. Je možné, že s HBM4 se pozice Samsungu opět zlepší, ale není to jisté a především: bude to trvat. Analytici předpokládají, že v segmentu HBM bude mít Hynix navrch po celý rok 2026.

HBM pro Hynix přestávají být hlavním tahounem, ceny univerzálních DRAM dávají prostor pro vyšší marže (Hynix)

Tato pozice, v kombinaci s nadále rostoucími cenami univerzálních DRAM (DDR4-5, GDDR6-7 ap.) navíc přiměla Hynix k určité strategické změně. Protože v letošním roce bude dosahováno na klasických pamětech 90% (!!!) provozní marže, rozhodla se společnost při vyvažování výrobních linek zpomalit přechod z HBM3(E) na HBM4(E) (pamětí HBM představují více než 40 % tržeb společnosti) a více potenciálního prostoru věnovat klasickým univerzálním DRAM.

Přestože tedy během druhého kvartálu významně stoupla spotová cena DRAM (na koncovém trhu se dopady projevují vždy až po několika měsících, než se paměti osadí na moduly nebo jiná zařízení a projdou distribucí do maloobchodů), je evidentní, že přibývá událostí, které by v dlouhodobém horizontu měly mít vliv na zpomalování růstu cen pamětí. Některé zdroje předpokládají, že příští rok (2027) bude dosaženo maxima a možná se projeví první známky poklesu cen, přičemž v roce 2028 by již měly ceny citelně klesnout. Nikoli na úroveň jara 2025, ale na podstatně přijatelnější úroveň.