Diit.cz

USA plánují zamezit Číně přístup k HBM pamětem a GAA výrobě

no-X — Mon, 17 Jun 2024 05:40:00 +0000

Bidenova administrativa se rozhodla podniknout další protičínské kroky, které omezí rozvoj této země na poli informačních technologií…

Lisa Su potvrdila výrobu na 3nm procesu Samsungu

no-X — Thu, 30 May 2024 05:40:00 +0000

Využití výrobních linek Samsungu, o kterém se šušká od loňského podzimu, nyní na ITF World 2024 potvrdila CEO AMD, Lisa Su…

Samsung se chlubí zákazníky a výtěžností 3nm procesu, sám ho ale nepoužívá

no-X — Mon, 01 May 2023 05:40:00 +0000

Samsung se k příležitosti zveřejnění finančních výsledků (které ke chlubení nebyly) pochlubil stavem 3nm GAA procesu. Optimistická slova ale příliš nekorespondují s reálnými kroky…

Samsung dnes expedoval první 3nm GAA čipy. Předběhl TSMC a Intel

no-X — Sun, 24 Jul 2022 22:00:00 +0000

Z technologického a historického hlediska jde o průlom. První dodávka GAA / MBCFET čipů je sice ve světě IT dlouho očekávaným krokem - vysvětlíme si ale, proč nakonec vlastně vůbec nic neznamená…

2nm proces TSMC využije nanosheets, do budoucna se zvažuje CFET

no-X — Fri, 17 Jun 2022 05:45:00 +0000

TSMC potvrdila, že pro 2nm proces nasadí zvažovanou technologii nanosheets, tedy derivát GAAFET - podobně jako Samsung nebo Intel…

Výtěžnost 3nm procesu Samsungu je ještě horší než u 4nm výroby

no-X — Wed, 20 Apr 2022 06:00:00 +0000

3nm proces Samsungu bude historicky prvním komerčně dostupným procesem využívajícím technologii GAA / MBCFET. Přípravy ale nejdou hladce a Samsung nebude letos schopný proces komerčně zpřístupnit…

3nm (GAA) proces Samsungu čeká další odklad, oproti TSMC asi neobstojí

no-X — Mon, 30 Aug 2021 22:00:01 +0000

S 3nm procesem Samsungu, který jako první nasazuje technologii Gate All Around, nástupce současného FinFET, to nevypadá dobře. Opět dochází ke zdržení…

Samsung ohlásil 3nm MBCFET proces nové generace

no-X — Thu, 16 May 2019 22:00:00 +0000

Již řadu let se mluví o tom, že technologii FinFET pomalu (po 7nm procesu ale již docela rychle) dochází pára. K alternativním cestám vývoje patří GAAFET nebo Samsungem vylepšená varianta, MBCFET…

Samsung: 4nm proces nebude FinFET, 7nm přijde 2018, 6- a 5nm 2019

no-X — Mon, 29 May 2017 11:00:00 +0000

Samsung pracuje na svém prvním EUV procesu, 7nm. To ale není to nejzajímavější. S EUV to plánuje rozjet ve velkém a obratem nabídnout i 6nm a 5nm proces. Se 4nm generací opustí FinFET.