Diit.cz

Everspin zvyšuje kapacity svých Spin Torque MRAM

David Ježek — Thu, 16 Mar 2017 23:00:00 +0000

Nová generace spinových magnetoresistivních pamětí (ST-MRAM, resp. STT-MRAM) od Everspin opět zvyšuje kapacitu. A přitom slibuje fakticky neomezené množství zápisů.

MRAM paměťové moduly opět blíže realitě, vědci už umí jet na 2 GHz

WIFT — Fri, 11 Mar 2011 08:33:00 +0000

O MRAM (Magnetic RAM) už jsme si nějaký čas nepovídali, tak to pojďme napravit, když už se naskytla příležitost. Vědci z německého PTB přišli na to, jak zkrátit čas zápisu jedné MRAM paměťové buňky a dosáhnout tak s těmito paměťmi frekvence 2 GHz. MRAM se tak nejspíše zcela vyhne náhražce NAND flash pamětí a zaútočí rovnou na DRAM a SRAM. Vědci už jen čekají na přiklepnutí evropského patentu (americký už mají) a shání někoho, kdo by jim pomohl s finálními pracemi a mohl tyto paměti začít dle řádné licence vyrábět…

STT-MRAM, nástupce flash opět blíže

Martin Bartoň — Thu, 11 Feb 2010 09:56:00 +0000

Zástupci firmy Fujitsu Laboratories a Tokyjské university na dnes končící Solid-State Circuits Conference 2010 v San Francisku prezentovali nový způsob čtení STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory). Tato paměť je obecně označována za nástupce současných NAND flash nejen proto, že se současnou technologií už je velmi obtížné dosáhnout další miniaturizace a zvyšování kapacity, ale STT-MRAM by měla být rovněž rychlejší. Jak z názvu vyplývá, pro uložení informace se používá magnetizace, něco podobného, jako najdete na každém pevném disku. Tato technologie ale měla jeden velký problém, při čtení mohlo dojít ke změně polarizace a tedy i ke znehodnocení zaznamenaných dat.

Budoucnost pamětí podle firmy Samsung

Martin Bartoň — Wed, 10 Feb 2010 23:01:00 +0000