Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Qualcomm Snapdragon 835: Quick Charge 4.0 i 10nm výroba u Samsungu

Qualcomm a Samsung oznamují, že nejnovější vlajková loď Snapdragon 835 je nejen již ve výrobě, ale rovnou 10nm FinFET procesem v továrnách Samsungu.

Jde o první takto významný 10nm čip, velkou revizi původního Snapdragonu 820 (jehož výrobu realizoval Samsung 14nm FinFET procesem) na bázi vlastních CPU jader Kryo. Podstatná tato zpráva není jen pro Qualcomm a jeho zákazníky z řad třetích firem, ale i pro samotný Samsung. Jihokorejský gigant na některých trzích používá ve svých hi-end produktech vlastní čipy Exynos, ale na trzích jiných zase osazuje Snapdragony.

Příchod Snapdragonu 835 nastává s nálepkou hlásající hlavní taháky 10nm FinFET procesu Samsung, tedy možnost oproti předchozí generaci výroby dosáhnout buď na o 27 % vyšší výkon čipů, nebo naopak využít snížení spotřeby až o 40 % při stejném výkonu.

Výroba se sice již rozběhla, ale do široké škály produktů to ještě novému čipu potrvá. Samsung odhaduje, že první zařízení se Snapdragonem 835 by se měla objevit v průběhu první poloviny příštího roku. Potají si můžeme vsadit na Galaxy S8 / S8 Edge, ale jistě se objeví spousty dalších.

Významnou novinkou je podpora již čtvrté generace firemního rychlodobíjení, Quick Charge 4.0. Qualcomm tvrdí, že to s ním bude zase o kus rychlejší, například akumulátor ve smartphonu lze dobít z nuly na 50 % za 15 minut či méně, či obecně, že 5 minut dobíjení na kompatibilní nabíječce vám dá 5 hodin provozu. Nová verze je prý o 20 % rychlejší a přístroje jsou při dobíjení o 5 °C chladnější než s konvenčními metodami.

Jenže Qualcomm musel hned řešit problém, když Google v rámci Android 7.0 Compatibility Definition uvedl, že pro zařízení s USB typu C je SILNĚ DOPORUČENO nepoužívat proprietární dobíjecí metody, které modifikují Vbus (napětí sběrnice) za hranice standardního nastavení či nějak mění roli pinů. Zatím je toto jen SILNĚ DOPORUČENO, ale do budoucna se v Androidu počítá s tím, že u všech zařízení s USB typu C bude vyžadována plná interoperabilita se všemi nabíječkami typu C.

Qualcomm na toto reaguje slovy, že on implementuje technologie USB Type-C a USB Power Delivery korektní cestou a vše je vzájemně kompatibilní. Tak uvidíme. Ruku do ohně za levné čínské nabíječky z eBay asi nedá ani Qualcomm, ani Google, ani USB-IF (a nejspíš ani jejich bezejmenný čínský výrobce :-).

Zdroje: 

David "David Ježek" Ježek

Bývalý zdejší redaktor (2005-2017), nyní diskusní rejpal.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Qualcomm Snapdragon 835: Quick Charge 4.0 i 10nm výroba u Samsungu

Středa, 23 Listopad 2016 - 16:00 | rman | Muzes toprosim trosku rozvest? Vypada to ze tomu...
Úterý, 22 Listopad 2016 - 21:25 | RedMaX | No, nekdo rika, ze ano a nekdo ze vubec. Me se...
Úterý, 22 Listopad 2016 - 21:04 | teso | A LG G4 sa podarila? Nevadí mi aj starší top...
Úterý, 22 Listopad 2016 - 10:59 | Sheldoniq | Miluji marketingové krasožvásty jako Quick Charge...
Úterý, 22 Listopad 2016 - 10:47 | RedMaX | Samsung Galaxy S8 bude mit na 99% SoC primo od...

Zobrazit diskusi