Globalfoundries ohlašuje 14nm výrobní proces

Společnost Globalfoundries vystavila na svém webu líbivou prezentaci generace výrobního procesu zvaného „14XM“, kde „XM“ znamená eXtreme Mobility. Dochází v něm i na známé „3D tranzistory“…
Globalfoundries 14XM

Na celé věci je asi nejzajímavější zrychlení přechodu na nový výrobní proces. Zatímco na 20nm proces přejde Globalfoundries (z 28nm) teprve příští rok (tedy po dvou letech), 14nm hodlá zákazníkům naservírovat pouze o rok později, tedy v roce 2014. Zní to možná až hodně odvážně, počkejme si tedy na realitu.

GF-14XM-Press-FINAL-7

Pokud jde o samotné určení výrobního procesu, Globalfoundries asi nedělá žádnou velkou chybu, když se snaží zaměřit především na vynikající energetickou spotřebu (tedy aby byla co nejnižší), protože jak svět stále více spěje do mobilního segmentu, tak je jasné, že výdrž koncového zařízení na jedno nabití bude čím dál tím víc důležitější. Klíčovou součástí mimo jiné i samotného přechodu na 14nm proces je to, čemu u Intelu nějaký čas říkali „3D tranzistory“ (nyní více používají termín „tri-gate“), zde označované jako FinFET (což je v podstatě obecné označení „vertikálního tranzistoru“ bez nějakého marketingového přikrášlení).

GF-14XM-Press-FINAL-8

Právě ten umožnil, že se z 20nm procesu stane 14nm (ty tranzistory jsou prostě plošně menší, přestože de facto sedí na 20nm-LPM procesu). Globalfoundries tvrdí, že čipy takto vyrobené by měly prodloužit výdrž baterie o 40 až 60 %.

GF-14XM-Press-FINAL-13

Celou prezentaci si můžete prohlédnout níže v galerii.

Galerie ke článku

WIFT (Google+)

Bývalý dlouholetý redaktor internetového magazínu CDR-Server / Deep in IT, který se věnuje psaní článků o IT a souvisejících věcech už nějakých 15 let.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Globalfoundries ohlašuje 14nm výrobní proces

Pondělí, 24 Září 2012 - 21:55 | JVc | V roce 2015 to uz bude prejmenovany na 15XM (...
Pondělí, 24 Září 2012 - 14:36 | eddward | Urcite, uz to vidim. 2014 bude december 2014 a...

Zobrazit diskusi