Paměťovým novinkám na Hot Chips jsme se věnovali minulý týden. Řeč byla o vývoji na poli HBM, GDDR6 nebo o nástupci systémových DDR4, kterým se stanou DDR5. Doposud velmi vágní informace o HBM3 (též zvané eXtreme HBM, xHBM, HBMx nebo HBM Gen3) si nyní můžeme trochu zkonkretizovat díky zveřejněnému plánu Samsungu.

V první řadě se dozvídáme, že standard přijde v reálné podobě v roce 2019-2020, takže následující tři až čtyři roky se ve světě grafických karet nesetkáme s ničím rychlejším než druhou generací HBM (ne že by to byl problém). HBM3 zvýší kapacitu vrstvy na více než dvojnásobek (pozn.: při pohledu na tabulku si říkám, zda má jít skutečně o znaménka „více než“ a ne o „více nebo rovno než“), což znamená více než 16 Gb na vrstvu, tj. více než 2 GB na vrstvu. Počet vrstev má být vyšší než stávající maximum (tj. vyšší než 8). Při osmi vrstvách se 2 GB na vrstvu tedy mluvíme o 16GB čipech, díky nimž by mohly vzniknout 64GB grafické karty. Při šestnácti vrstvách by šlo o 32GB čipy a až 128GB grafické karty.

Datová propustnost čipu stoupne ze stávajících 256 GB/s opět na „více než dvojnásobek“, tj. na více než 512 GB/s pro čip, tedy na více než 2 TB/s pro grafickou kartu se čtyřmi čipy. Základní takt 500MHz by se neměl nijak výrazně měnit, takže ony „více než 2 TB/s“ může být v praxi třeba 2,1 TB/s, pokud takt dosáhne kupříkladu 525 MHz.

Napájecí napětí 1,2 voltu pro jádro i rozhraní se změní, Samsung plánuje výrazný pokles (což indikuje nasazení novějšího výrobního procesu).