Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Intel/Micron: do 10 nm jsme s NAND flash v pohodě, pak musí nastoupit 3D struktury

20nm NAND flash Intel Micron IMFT
IM Flash Technologies, společný podnik Intelu a Micronu na výrobu flash čipů, představil svůj výhled na budoucí technologie. 15nm a 10nm lze zvládnout stávajícími technologiemi, ale pak už bude nutné přejít na 3D…

Úvodem připomeňme, že aktuálně jsou na trhu dostupné jako nejpokročilejší buď 20nm čipy od IMFT/Micronu, resp. 19nm čipy Toshiba (a na trh míří jejich 2. generace vyvinutá opět ve spolupráci se SanDiskem). Na konferenci IMEC Technology Forum pak odpovídal na zvídavé otázky CEO IMFT, pan Keyvan Esfarjani.

Dle jeho slov bude možné [v IMFT] jít na 15nm a 10nm rozměry se stávající 2D výrobní technologií, za hranicí 10nm technologie se ale výroba již neobejde bez přechodu na 3D struktury. Tím Keyvan nemyslí 3D tranzistory jako u Intelova 22nm procesu, nýbrž vrstvení jednotlivých vrstev paměťových buněk již ve výrobě v rámci jednoho čipu. Což je jen tak mimochodem metoda výroby, kterou již nějakou dobu propaguje i největší konkurent, japonská Toshiba, která letos zahájí dodávky testovacích čipů, které na jedné die nesou 16 takových vrstev paměťových buněk. Šéf IMFT pak ke svým slovům dodává, že aby se 3D technologie stala ekonomicky výhodnou, bude potřeba mít v čipech 32 až 64 vrstev.

Prozatím ale IMFT setrvává u osvědčené klasické technologie, kde nejsou na sebe natlačeny (či možná by se dalo až říci „sebou téměř protkány“) jednotlivé vrstvy tranzistorů. Vylepšovat je ještě kde, IMFT nasadí nitridové filmy (tenoučké vrstvy tvořené sloučeninami kovů s dusíkem) a technologii nanoteček. Není ale v tuto chvíli jasné, jestli, případně kdy bude vhodné či nutné přejít na 15nm technologii, ostatně každé další zmenšení zatím vždy vedlo k jistému snížení životnosti flashových čipů.

Já bych ale byl optimistický. Je jasné, že poptávka po NAND Flash klesat nebude. Mobilní zařízení od smartphonů po Ultrabooky budou polykat stále větší množství takových čipů a uživatelé se budou dožadovat stále vyšších kapacit. Technologie na úrovni 15/16 nanometrů jsou logickým pokračováním a pokud něco takového neuvede první IMFT, tak to bude Toshiba. Mírně bych naopak tlumil případná očekávání nástupu oněch vrstvených 3D struktur, tady lze předpokládat, že to je záležitost až příští dekády, pokud se podaří vyřešit všechny technické obtíže a zejména se - a to platí i pro stávající 2D - vypořádat s logicky klesající životností čipů.

David "David Ježek" Ježek

Bývalý zdejší redaktor (2005-2017), nyní diskusní rejpal.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Intel/Micron: do 10 nm jsme s NAND flash v pohodě, pak musí nastoupit 3D struktury

Žádné komentáře.