Aktuálně se to prý má tak, že 10nm procesy u TSMC i Samsungu sice běží, jsou na tom celkem dobře, ale mohlo by být uz hlediska kvality vyrobených čipů i lépe. Je ale možné že tato informace je malinko postarší, neboť poměrně nedávno představil Samsung druhou generaci 10nm výroby, proces 10LPP. Nechme tedy zatím koňovi (má větší hlavu) jestli/jak se daří s výrobou Snapdragonu 835, který pohání americké modely Samsung řady Galaxy S8.

Jeho nástupce se bude jmenovat Snapdragon 845 a o jeho výrobu se má postarati tchaj-wanská megapekárna TSMC, a to první generací 7nm procesu. Pokud vše půjde podle plánů, čip se objeví v příštím roce a bude opět pohánět Samsungovy americké modely, tentokrát již s názvem Galaxy S9.

Nebudeme se příliš vracet k očekávaným parametrům 7nm FinFET výroby u TSMC, firma - i její konkurent Samsung - průběžně vypouští informace, ale těžko může poskytnout srovnání kupříkladu s výše uvedenou druhou generací 10nm FinFET výroby u Samsungu. Prozatím se tedy držme obvyklého předpokladu, že nový čip bude výkonnější, či naopak při stejných provozních parametrech o příjemný kus úspornější.