Těsně před zahájením výstavy CES 2017 se objevují slajdy potvrzující některé parametry. Snapdragon 835 bude dalším evolučním krokem, který o kus vylepší vše předcházející. Výrobce hovoří například i zhruba 27 % lepším výkonu ve srovnání se Snapdragonem 820.

Těšit se můžeme na 10nm FinFET výrobu u Samsungu (jakkoli to s ní zatím není růžové), dále menší rozměry čipu oproti modelu 820 (což se bude hodit ve smartphonech) a mimochodem jde o první ARM SoC, které nabízí X16 LTE modem, tedy jinak řečeno LTE s gigabitovou rychlostí.

CPU část obstará firemní architektura Kryo 280 doprovázená GPU částí Adreno 540 s podporou 10bit barev, 4k rozlišení, 60fps zobrazení a OpenGL ES, Vulkan či DirectX 12.

V neposlední řadě se také objeví nejnovější generace Qualcommova rychlodobíjení Quick Charge 4, které je schopno například dobít telefon na 50 % za pouhých 15 minut.