Pro Samsung tyto čipy symbolizují již třetí generaci „vrstvené“ výroby. První přinesla až 24 vrstev, druhá uvedená loni v květnu až 32 vrstev a nyní výrobce navýšil rovnou o 50 % a posouvá se na 48 vrstev. Zatímco obě předešlé generace vznikaly na 40nm-class procesu (konkrétně 42nm), posunul se s třetí generací na 30nm-class výrobu.

Prvním konkrétním produktem vzniklým touto technologií jsou 256Gb čipy 3D V-NAND TLC. Zachován zůstává způsob konstrukce CTF, díky němuž prochází skrze čip celkem 1,8 miliard spojů (kanálů) a spojuje celkových 85,3 miliard buněk schopných uložit 32 GB dat.

Šéf paměťové divize Samsungu, Young-Hyun Jun, očekává významný dopad na cenu konzumních SSD

Podle Samsungu nový čip konzumuje o 30 % energie méně než předešlá generace. Budeme-li tuto informaci chápat v absolutním měřítku, je energetická efektivita přepočtená na jednotku kapacity o 60 % vyšší (čipy minulé generace totiž byly 128Gb). Čip je zároveň o 40 % menší.

Young-Hyun Jun, prezident paměťové divize, plánuje nové čipy nasadit jak v enterprise-, tak v konzumním segmentu. Věří, že díky 256Gb čipům umožní vytvořit cenově přijatelné konzumní 1-2TB SSD i profesionální úložiště s vyšší kapacitou typu PCIe NVMe a SAS.