O TSMC lze v posledních generacích výroby říci několik věcí. Jednou je, že firma je obvykle příliš optimistická ve svých prohlášeních o nových výrobních technologiích. Další je, že tyto pak přicházejí se značným až značnějším zpožděním oproti předpokladům a v neposlední řadě tu máme to, že doba od ohlášení prvních funkčních vzorků čipů k reálně dostupné sériové výrobě je hóóódně daleko. Takže zatímco 16nm FinFET se snad konečně dostal na pořad dne, u 10nm FinFET výroby jsme s TSMC na úplném počátku.

Nelze ji za to nějak zásadně kritizovat, s 10 nanometry se ve vývoji i prvotních pokusech o výrobu čipů potýkají i konkurenti jako Samsung, snad jedině Intel je trochu dále, byť došlo k dalšímu odkladu generace CPU Cannonlake. Ale je potřeba připomínat, že to, že TSMC dokázala vyrobit čtyřjádrový ARM Cortex-A57 na 10 nanometrech, neznamená, že zítra budou obří GPU AMD a Nvidia.

To já osobně tipuji někam za rok 2019.

Nově vyrobené 10nm ARMy jsou tzv. ověřovací čipy, na nichž se provádí první fáze kontroly nastavení parametrů výrobního procesu. TSMC odhaduje, že začátek rizikové produkce spustí ještě letos a na přelomu let 2016 a 2017 pak velkoobjemovou sériovou výrobu. Jenže tím „na 110 %“ myslí maličké ARM čipy, případně přímo hlavně výrobu pro Apple.

Jinak TSMC neodhalila žádné bližší detaily týkající se kupříkladu dosahovaných frekvencí čipů, pouze že je zde potenciál pro o 20 % vyšší takty. Dále ale také uvádí, že 10nm čipy mají o 110 % vyšší hustotu obvodů než 16nm (což je de facto 20nm s FinFET řídící elektrodou) a hovoří o spotřebě nižší o 40 % při stejném taktu. Počáteční testovací výroba 10nm FinFET procesem probíhá ve firemní továrně Fab 15 (kde jinde než v Hsinchu Science Park na Tchaj-wanu) na lince, která stála více než 1 miliardu dolarů.

Příští rok na jaře chce TSMC začít stavět další novou továrnu, která naskočí rovnou na 10nm FinFET výrobu. V ní se používá EUV laser o vlnové délce 13,5 nm.