Taiwanské tamtamy serveru DigiTimes vyťukaly zprávu, že Toshiba a Sandisk už ve druhé polovině příštího roku začnou ve velkém vyrábět NAND flash paměti 20nm technologií. Jejich společný podnik v japonském městě Yokkaichi nyní také zvyšují výrobní kapacitu na 200 000 křemíkových desek měsíčně. Původně v Toshibě předpokládali, že do konce tohoto roku budou mít celých 50 % produkce na 32 nm, ale zvyšování výroby se zatím odsouvá. Toshiba už také zvládla 3bitové (3bpc - bit per cell) MLC NAND flash, které vyrábí právě na této technologii.

Společnosti Micron a Intel se 3 bity na paměťovou buňku pochlubily před měsícem a právě tito dva konkurenti, kteří spolu úzce spolupracují, slibovali 2xnm technologii ještě do konce tohoto roku. 32Gbitové 3bpc NAND flash paměti na 32 nm by se měly vyrábět v jejich joint venture v americké (Lehi v Utahu) IM Flash Technologies. I Samsung posiluje výrobu NAND flash, když v Austinu (Texas) přejde do konce příštího roku z 200mm na 300mm křemíkové desky.

Odborné kruhy signalizují, že pokud by byl příští rok ve znamení přechodu na 20nm výrobní technologii, mohla by nižší výrobní cena značně přispět k rychlejšímu nahrazování pevných disků těmi bez pohyblivých součástek zvaných SSD.