24 / 48 / 96GB DDR5 moduly

V kontextu operační paměti zpravidla mluvíme o hodnotách jako 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB a podobně. Existovaly výjimky. Procesory Intel Nehalem a Westmere (platforma X58) podporovaly tříkanálový řadič, takže bylo možné dosahovat i poměrně nezvyklé kapacity. Nyní ale mluvíme o kapacitě jednotlivých paměťových modulů a jejich čipů / pouzder.

V mobilním segmentu, u pamětí LPDDR… se už nějaký ten pátek s těmito kapacitami setkáváme. Přišly vhod zejména u mobilů, neboť úsporné (a zároveň rychlé) LPDDR jsou drahé, takže se hodilo neplýtvat a mít i možnost čehosi mezi 2GB a 4GB čipy. Vznikly čipy (pouzdra) s 3GB kapacitou a další.

V posledních dvou letech, zvlášť ve spojitosti s nedostatkem GDDR6 pro grafické karty, se opakovaně mluvilo o tom, že by bylo vhodné mít krom 8Gbit a 16Gbit čipů k dispozici i kapacity jako 12Gbit a 24Gbit. Díky prvním zmíněným by bylo možné na 256bit sběrnici dosahovat kapacity 12 GB, díky druhým by například low-endový hardware jako 64bit Radeon RX 6500 XT bylo možné osadit 6 GB paměti. Plán výroby takových čipů (bohužel) zatím potvrzen není.

Samsung však potvrdil podobná řešení pro DDR5. Je pravdou, že o 24Gbit čipech již hovořil, ale doposud nebylo ani přibližně známo, kdy se stanou realitou. V aktuálním slajdu už jsou namalované na letošek, rok 2022, ale musíme mít na paměti, že slajd je vytvořen z pohledu Samsungu, tedy výrobce čipů. Na výrobu modulů a jejich distribuci je potřeba nějaký čas navíc, takže je možné, že se na trhu objeví v samotném závěru roku, nebo začátkem roku 2023. Čipy budou vyráběné 14nm alias D1a alias prvním procesem určeným pro výrobu pamětí s využitím EUV litografie.

512GB moduly

Dalším krokem, který by Samsung rád stihnul ještě letos, ale který se dost možná přehoupne do roku 2023, jsou 512GB moduly postavené na 16Gbit křemíku využívajícím vrstvení. Osm vrstev po 16 Gbit dává 128 Gbit, tedy 16 GB na pouzdro, kterých bude osazeno 32 na modul.

Vrstvení křemíku znamená nějaké výrobní náklady navíc a krom toho dojde ke zvýšení štočku ze 4 na 8 vrstev. Velmi pravděpodobně budou tyto moduly zaměřeny na profesionální segment - servery, možná high-endové pracovní stanice. Oproti vrstveným DDR4 je výhodou nižší výška (tudíž snazší odvod tepla) navzdory dvojnásobku vrstev.

1TB moduly a DDR5-7200

V roce 2024 plánuje Samsung posunout kapacitu DDR5 modulu na celý 1 TB. Stále půjde o osmivrstvá řešení, ovšem s 32Gbit křemíkem (namísto 16Gbit), takže počet pouzder na modulu zůstane zachován, byť kapacita stoupne.

Ačkoli JEDEC standard připouští jako maximum DDR5-6400 a z jeho hlediska je vše rychlejší přetaktováním, Samsung plánuje i čipy nativně podporující DDR5-7200, případně i více, bude-li to možné. Tento plán cílí na rok 2025 a počítá se zachováním základního napětí 1,1 voltu.