Tým vedený asistujícím profesorem Xiangfeng Duanem (Ph.D. Harvard, 2002) vyvinul novou výrobní technologii využívající nanovlákna gate elektrody pokrytá nikoli dosavadní hliníkovou vrstvičkou a výrobu elektrod source a drain jistým samozarovnávajícím procesem, který k tomu využívá vlastní nanovodiče jako masku, ale pokryté vrstvou kombinující kobalt, silikát (křemičitan) a hliník. Tato dielektrická struktura je vyráběna v samostatném kroku a poté jednoduše "přiložena" na vršek samotné grafenové struktury. Na vrch pak dále přijde vrstvička platiny, a to přes nanovlákna tak, že rozdělí grafen do dvou oddělených oblastní, z nichž se následně zmíněným samoprocesem vytvoří zbývající elektrody - "přiložená" maska pak definuje rozměry gate, které jsou v tuto chvíli ~140 nm.

Jedná se o technologii řešící jednu z hlavních současných překážek v praktickém nasazení grafenových tranzistorů, neboť zjednodušuje celou výrobu, neboť tento "samovýrobní proces" (podobný technologii používané k výrobě klasických MOSFET tranzistorů) ve své podstatě současně minimalizuje v tranzistorech vnitřní odpor a tudíž zvyšuje dále jejich výkon - v tuto chvíli se již hovoří o frekvenci až 300 GHz, trojnásobku únorové výroby u IBM. Tým se nyní soustředí jak na zmenšení gate, tak na dosažení 1THz frekvence.