Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Samsung představil 10nm FinFET proces druhé generace

Jihokorejský obr patří mezi lídry vývoje výrobních procesů pro menší čipy a aktuální stav varianty 10LPP tomu jen nasvědčuje.

Úvodem připomeňme nedávný no-Xův rozbor na téma porovnání daných generací výrobních procesů mezi jednotlivými výrobními společnostmi. Ne vše, co se tváří jako X nanometrů je srovnatelné s X nanometry konkurence, nicméně i tak je důležitý mezigenerační pokrok u daného výrobce. Pokud tedy kupříkladu Apple či Qualcommm nechává vyrábět své čipy 10nm FinFET procesem první generace u Samsungu, zvyným 10LPE (Low Power Early), tak lze předpokládat, že s nasazením druhé generace výroby 10LPP (Low Power Plus) budou čipy zase o něco lepší - úspornější, efektivnější, rychlejší - či libovolná skladba těchto vylepšení.

Tak či onak, Samsung nyní ohlásil, že vývoj druhé generace 10nm FinFET technologie je u konce. Firma dokončila kvalifikační procedury a zákazníkům (a i sama sobě, neb své Exynosy, DRAM či NAND flash čipy vyrábí ve svých továrnách) slibuje 10% nárůst výkonu, nebo 15% pokles spotřeby čipů.

V tuto chvíli firma již instaluje potřebné výrobní vybavení v nejnovější výrobní lince S3 s Hwaseongu, čímž současně zas o něco lépe pokryje rostoucí poptávku po 10nm výrobě. Nová linka bude zprovozněna ve třetím čtvrtletí tohoto roku (tedy přibližně za nejméně čtvrt, nejvíce půl roku).

Tagy: 
Zdroje: 

David "David Ježek" Ježek

Bývalý zdejší redaktor (2005-2017), nyní diskusní rejpal.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku Samsung představil 10nm FinFET proces druhé generace

Žádné komentáře.