Samsung představil 10nm FinFET proces druhé generace
Úvodem připomeňme nedávný no-Xův rozbor na téma porovnání daných generací výrobních procesů mezi jednotlivými výrobními společnostmi. Ne vše, co se tváří jako X nanometrů je srovnatelné s X nanometry konkurence, nicméně i tak je důležitý mezigenerační pokrok u daného výrobce. Pokud tedy kupříkladu Apple či Qualcommm nechává vyrábět své čipy 10nm FinFET procesem první generace u Samsungu, zvyným 10LPE (Low Power Early), tak lze předpokládat, že s nasazením druhé generace výroby 10LPP (Low Power Plus) budou čipy zase o něco lepší - úspornější, efektivnější, rychlejší - či libovolná skladba těchto vylepšení.
Tak či onak, Samsung nyní ohlásil, že vývoj druhé generace 10nm FinFET technologie je u konce. Firma dokončila kvalifikační procedury a zákazníkům (a i sama sobě, neb své Exynosy, DRAM či NAND flash čipy vyrábí ve svých továrnách) slibuje 10% nárůst výkonu, nebo 15% pokles spotřeby čipů.
V tuto chvíli firma již instaluje potřebné výrobní vybavení v nejnovější výrobní lince S3 s Hwaseongu, čímž současně zas o něco lépe pokryje rostoucí poptávku po 10nm výrobě. Nová linka bude zprovozněna ve třetím čtvrtletí tohoto roku (tedy přibližně za nejméně čtvrt, nejvíce půl roku).
Diskuse ke článku Samsung představil 10nm FinFET proces druhé generace