Konkrétně se dnes bavíme o 8Gbitových DDR4 čipech, tedy těch s kapacitou 1 GB. Při osmi/šestnácti na modulu jde výhledově o 8GB, resp. 16GB DDR4 moduly a výroba čipů přešla od 20nm (žádný „20nm-class“, ale přímo 20nm výroba) k tomu, čemu jeho markeťáci říkají „10nm class“. A protože Samsung ovládá v pásmu pod 20 nanometry „jen“ svůj výtečný 14nm FinFET proces, lze předpokládat, že nově probíhá sériová výroba inkriminovaných DDR4 čipů právě 14nm FinFETem.

Výsledkem jsou 1GB DDR4 čipy, kterých se Samsungu vejde na wafer o třetinu víc (technicky je 14nm FinFET proces vlastně 20nm proces s tím, že řídící elektroda (gate) v tranzistoru není „rozložena v ploše křemíku“, ale „stojí na výšku“ - proto úspora není taková, jak by odpovídalo prostému porovnání čísel 20 a 14). Výroba využívá litografii typu ArF (argon fluor) a nevyžaduje vybavení pro EUV litografii. Samsung je prvním, kdo takto nanometrově pokročilou sériovou výrobu DRAM čipů spouští.

Nové čipy jsou nabízeny ve více rychlostech až po DDR4-3200, což je ve srovnání s předchozími 20nm čipy DDR4-2400 znatelný pokrok. Nové moduly vybavené těmito čipy jsou oproti 20nm generaci o 10 až 20 % energeticky úspornější. Výroba DRAM čipů FinFET technologií je zavedena až po NAND flash zejména proto, že zatímco NAND flash obsahuje v paměťové buňce vlastně jen jediný tranzistor, DRAM s ohledem na svoji potřebu neustálé obnovy dat / udržování napětí obsahuje v paměťové buňce také kondenzátor připojený k danému tranzistoru.

Nové DDR4 čipy nalezneme v modulech o kapacitách začínajících na 4GB SO-DIMM pro notebooky či DIMM pro PC, až po 128GB moduly pro servery.