Idea je stejná jako u mnoha současných NAND flash čipů, a sice použití vrstvení jednotlivých die do společného pouzdra. Inovace se v tuto chvíli týká snímačů pro smartphony a Sony ji prezentovala na tradiční konferenci ISSCC 2017 (International Solid-State Circuits Conference).

V tuto chvíli má firma k dispozici 21,2Mpix čip 1/2,3" velikosti s efektivním rozlišením 5520×3840. Onboard DRAM paměť má kapacitu 1 Gbit (128 MB) a snímač díky ní rychleji a flexibilněji odečítá data (protože „hned za sebou“ má paměť do které je posílá).

Ve výsledku tak Sony uvádí příklady toho, kdy tato onboard paměť vylepšuje snímač. Ta za prvé u 1080p videa je možno jít až na 1000 fps. A za druhé lze zkrátit odečtové doby, tedy expoziční časy, což snižuje či přímo eliminuje roling shutter - kompletní data ze snímače totiž díky blízké „onboard“ DRAM paměti lze odečíst za 1/120 sekundy, což je čtyřikrát rychlejší než když je DRAM mimo snímač.

V tuto chvíli nenabízí Sony žádnou komerčně dostupnou implementaci, na to si musíme ještě počkat. Lze ale předpokládat, že nějaká příští generace smartphonů již tuto novinku nabídne.