Firmě se totiž podařilo vyladit 45nm výrobní proces natolik, že je schopna jím na bázi PLL CMOS vyrábět jednočipový zářič (nebo chcete-li vysílač) v THz pásmu. Ve spolupráci Kilbyho laboratoří v TI (pozn. Jack Kilby: konstruktér prvního integrovaného obvodu, NC za fyziku v roce 2000) s Texas Analog Center of Excellence na Texaské univerzitě v Dallasu vznikl čip nesoucí dva frekvenční děliče ve zpětné smyčce, které vytvářejí frekvenci 390 GHz. Výkon z on-chip antény tohoto jednočipového vysílače je 2,2 µW.

FCC (Federal Communications Commission) definuje THz pásmo v rozmezí 300 GHz až 3 THz, pročež nový čip od TI do této kategorie spadá. Do budoucna chtějí inženýři v Texas Instruments navýšit na tomto 45nm výrobním procesu jak frekvenční rozsah vysílače, tak jeho výkon. Predikce na základě současných technologií říkají, že je v jejich silách dostat se někam k 600GHz hranici i výše.

A kde vlastně nachází THz zářiče uplatnění? Od bezpečných letištních skenerů pro zavazadla i lidi přes různé detektory až třeba pro medicínské nasazení. Výhodou terahertzových frekvencí, tedy vlnových délek emitovaného elektromagnetického vlnění v řádu přibližně 1000 až 100 µm totiž je, že není ionizujícím zářením a přitom bez problémů prochází tenkými vrstvami (např. oblečení, obaly) či dřevem, zdí apod. THz záření je přitom pohlcováno vodou, takže v lékařství se využívá mj. ke zjišťování některých typů nádorů, přičemž benefitem je skutečnost, že nijak nepoškozuje tkáně.

Jinak technologie na bázi THz zářičů je tím, co stojí za slavnými „svlékacími“ letištními skenery schopnými udělat detailní snímek člověka i přes oblečení - jako každá technologie, i THz zářiče mají svá pro i proti. Jisté ale je, že jde o slibnou oblast výzkumu (základního i aplikovaného) a Texas Instruments jasně svými pokroky ukazuje, že jsme ve srovnání s jinými technologiemi spíše v počátcích.