Firma Samsung na International Solid-State Circuits Conference předvedla své nové GDDR4 paměti, které běžely na 4 GHz, což je o 40 % více, než byla původní projektovaná maximální rychlost pro GDDR4 paměti. Testovací vzorek měl kapacitu 512 Mbit, byl vyroben 80nm výrobním procesem a běžel na 2 V. Datový tok z takového čipu nasazeného v kombinaci s 256bitovou sběrnicí znamená 128 GB/s, v případě nasazení na grafické kartě s 512bitovou sběrnicí pak 256 GB/s. To je pro srovnání zhruba třikrát více než 86,4 GB/s, které má k dispozici GeForce 8800GTX.

Díky dosažení takto vysokých rychlostí už s GDDR4 možná dojde k přehodnocení plánů s nimi a případné nasazení GDDR5. Původně totiž bylo v plánu dosažení 2,8 GHz v tomto roce a s nasazením GDDR5 v příštím roce na 3,5 GHz, které by následně o rok později vystoupaly na 4 GHz. Na druhou stranu je třeba si uvědomit, že skutečné případné nasazení 4GHz GDDR4 nebude ihned následovat, neměli bychom prý čekat, že takto rychlé paměti najdeme na grafických kartách letos, či začátkem příštího roku.