Vicepresident společnosti Samsung Joo-Tai Moon se minulý týden na SEMICON Korea (obchodní výstava) rozpovídal o budoucnosti pamětí. Věří, že hvězdami budou PRAM (Samsung začal s jejich výrobou loni v září), paměť na bázi oxidu a STT-MRAM (Spin Transfer Torque RAM), jako nástupci současných NAND flash. Zajímavé je, že i on vidí trochu problém s vícebitovými buňkami v MLC flash NAND, kde se sice zvyšuje výkon, ale spolehlivost bude výrobcům ještě dělat starosti. Problém bude prý také udržet tempo ve zmenšování výrobních technologií. Jisté ale je, že v roce 2015 nahradí současné 300 mm křemíkové desky desky o průměru 450 mm. Cílem pro budoucí technologie budou automobilový průmysl, medicínské obory a robotika. S vývojem technologií nezapomněl zmínit, že Samsung má pro letošní rok připravený investiční rozpočet ve výši 7 miliard USD, což je výrazně více než vloni, jen do obchodu s čipy to bude 4,7 miliardy USD, když v roce 2009 to bylo „jen“ 3,9 miliardy USD.