Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Diskuse k CeBIT 2008: AMD předvádí nativně čtyřjádrové 45nm procesory

...každé jádro má jako dnes 512 kB L2 cache a všechna sdílejí již trošku větších 6 MB (oproti dnešním 2 MB) L2 cache.
 
Myslím, že chybička se vloudila a těch 6MB mělo být L3 cache a ne L2, když L2 je 512kB ;).

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Nemá to být L1,L2 ?

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

nn to bude asi L2 a L3... podobne ako u barcelon kazde jadro ma L1 a L2 vlastne a vsetky maju L3 zdielane...

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Já bych to fakt neměl na noc brát ... ;) Je to L2 a L3, samozřejmě :)

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

45ka umoznuje predevsim vyssi frekvence a nizsi spotrebu a mirne navyseni vykonu diky kratsim cestam a rychlejsim tranzistorum, takze je jasne ze mirne prepracovali i navrh L3 cache(K10,5)....
Mimochodem ted se objasnilo proc AMD/Ati neprislo se 45kou drive, IBM si v klidu delalo HIgh-K a na pomoc se strained silicon pro AMD/Ati se proste "vyprdlo"....

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

No, nebyt IBM ..... Ale aspon modri zase trosku zlevni, uz aby tady bylo to zlevneni Q6600.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

2 ljelinek ale preda Q6600 uz je zlacnene a ako...

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Zdar WIFTe, a co bereš, nebo, jak co?

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

>> Ladik 21:
Ozvi se na ICQ, dáme řeč o tom, na čem jedu ;)

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

MadMaxII>
nie, Ultra Low K je lepsie nez High K

High K riesie spotrebu v iddle, ktora ma AMD uz dnes nizsiu vdaka setriacim technologiam

Low K riesi spotrebu pri zatazi

spotreba chipu je

P=nCUf

kde n je pocet tranzistorov,

C je parazitna kapacita zavisla od vyrobnej technologie a hlavne relativnej permitivy (dielektrickej konstatny) s ktorou je priamo umerne

U- napajcie napatie, ktore aby pracoval chip spolahlivo je priamo umerne pracovnej frekvencii

a f je pracovna frekvencia chipu..

problemov bol v inom ponorna "imerzna" litografia, ktoru intel koli obtiaznosti neimplmentoval do 45 nm a u neho bude az v 32, kde je uz nevyhnutna, koli nevyhnutnosti EUVL- Extreme Ultra Violet Litography- Extremne ultrafialova litografia, ktora umozni ist pod 32 nm teda na fyzikalne minmum 22 nm.. EUVL aj IL uz ma AMD zvladnute.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Kuuuva, nadhreny kusok HW. Keby sme toto videli pred 10 rokmi! =-O

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

>Snejk: Zlevnene? Mam dojem, ze sleva byla planovana na duben, kdy pujde dolu i Q9700, ne?

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Fotoba: zabudol si dodat ze low-K dielektrikum je na oddelenie vrstiev a medzi vodicmi az po druhej metalizacnej urovni, a high-K dielektrikum je medzi hradlom - fyzicky oddeluje - hradlo a zvysok tranzistoru (Drain, Source). Takze je to nieco uplne ine, integrovany obvod moze pouzit obe technologie.

Spotreba je suctom statickej a dynamickej spotreby. Dynamicka stupa linearne s frekvenciou, staticka so stvorcom napajacieho napatia (minimalne!). Samozrejme, staticka aj dynamicka spotreba prudu je velmi ovplyvnovana teplotou (najma ta staticka zlozka), a pri nizsej teplote aj tranzisory rychlejsie spinaju - dynamicka ide mierne dole.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

jojo>
toto je pre mna novinka, vzdy som bol v tom,ze dielektrikum je izonlant medzi kanalom MOS FET-u a hradlom
je pravda, ze ten 1m vodicov co je nacpaty do Phenomu o rozmeroch 1,6x1,6 cm o hrubkehradala 35 nm
len pomer l/S pre vypocet odporu dava 3x 10^14 co pri medi dva odpor 5,4 MegaOhm len na spojoch a teda mas pravdu so statickym odberom..

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

fotoba: tak si spomen ako sa vlastne zaviedlo pouzivanie medi v integrovanych obvodoch. cely prevratny prioces vyvinuli v IBM. Medene prepoje nad urovnou 2 (preto mali rane athlony na spodnych urovniach hlinik a vyssie med) maju ako izolant polyimid. Ten extremne pevny a ohybny hnedy material na ktorom su aj ohybne plosne spoje, pouziva sa ako paska od displejov a pripaja sa s tym optika v LASERovej hlave a tak podobne. Neda sa zvarovat a lepit.

staticka spotreba: obvykle to je to co pretecie otvorenymi tranzistormi, minimum uzavretymi tranzistormi + tunelovaci prud cez hradla a ine veci kde je napatie nad tenkou vrstvou oxidu - teda aj "decoupling" vnorene kondenzatory.

+1
0
-1
Je komentář přínosný?

Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.