Děkuji za pěknou tabulku.
Zaznělo tu že pod 7nm SRAM špatně škáluje.
Přesto se jí podařilo zmenšit z 0,027 μ² na 0,021 μ²
A to při přechodu z N6 na N5.
Mooreho zákon stále funguje.
Na čem se vyrábí CPU v mobilu Samsung S25?
Údajný takt 4,47GHz je neuvěřitelný.
Pro nás mileniály. Po downgrade u intelu máme stolní CPU na 5,7GHz. Takto blízko mobili nikdy nebyli.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
Zaznělo tu že pod 7nm SRAM
waleed https://diit.cz/profil/vmunllyubs
19. 2. 2025 - 06:09https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuseDěkuji za pěknou tabulku.
Zaznělo tu že pod 7nm SRAM špatně škáluje.
Přesto se jí podařilo zmenšit z 0,027 μ² na 0,021 μ²
A to při přechodu z N6 na N5.
Mooreho zákon stále funguje.
Na čem se vyrábí CPU v mobilu Samsung S25?
Údajný takt 4,47GHz je neuvěřitelný.
Pro nás mileniály. Po downgrade u intelu máme stolní CPU na 5,7GHz. Takto blízko mobili nikdy nebyli.https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse#comment-1493198
+
>> Zaznělo tu že pod 7nm SRAM špatně škáluje.
>> Přesto se jí podařilo zmenšit z 0,027 μ² na 0,021 μ²
>> A to při přechodu z N6 na N5.
N4C má údajně přinést i zmenšení těchto prvků
+1
+2
-1
Je komentář přínosný?
>> Zaznělo tu že pod 7nm SRAM
melkor https://diit.cz/profil/valter-mayer
19. 2. 2025 - 10:16https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse>> Zaznělo tu že pod 7nm SRAM špatně škáluje.
>> Přesto se jí podařilo zmenšit z 0,027 μ² na 0,021 μ²
>> A to při přechodu z N6 na N5.
N4C má údajně přinést i zmenšení těchto prvkůhttps://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse#comment-1493244
+
SRAM se špatně škáluje asi kvůli spoustě adresních linek, samotná paměť jsou bistabilní klopné obvody, není důvod, proč ty by se nedaly zmenšovat.
Horší je DRAM, tam jsou paměťovým prvkem kapacitory čili kondenzátory a ty se IMHO zmenšují hůř - a ty paměťové linky jsou tam taky a k tomu refrešovací obvody.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
SRAM se špatně škáluje asi
Pety https://diit.cz/profil/petyy
19. 2. 2025 - 11:05https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuseSRAM se špatně škáluje asi kvůli spoustě adresních linek, samotná paměť jsou bistabilní klopné obvody, není důvod, proč ty by se nedaly zmenšovat.
Horší je DRAM, tam jsou paměťovým prvkem kapacitory čili kondenzátory a ty se IMHO zmenšují hůř - a ty paměťové linky jsou tam taky a k tomu refrešovací obvody.https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse#comment-1493262
+
A proto jsou DRAM tradičně mezi prvními věcmi na novém procesu.
PS: někdy si přečtěte kolik prvků je použito pro 1 bit SRAM. Nebo si rovnou najděte srovnání velikosti SRAM a DRAM.
+1
0
-1
Je komentář přínosný?
A proto jsou DRAM tradičně
melkor https://diit.cz/profil/valter-mayer
19. 2. 2025 - 13:52https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuseA proto jsou DRAM tradičně mezi prvními věcmi na novém procesu.
PS: někdy si přečtěte kolik prvků je použito pro 1 bit SRAM. Nebo si rovnou najděte srovnání velikosti SRAM a DRAM.https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse#comment-1493315
+
A na to přišli kde? DRAM se aktuálně dělá na 1x nm procesech (tuším aktuálně 10nm)
+1
+1
-1
Je komentář přínosný?
A na to přišli kde? DRAM se
TOW https://diit.cz/profil/tow
19. 2. 2025 - 14:56https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuseA na to přišli kde? DRAM se aktuálně dělá na 1x nm procesech (tuším aktuálně 10nm)https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse#comment-1493353
+
19. 2. 2025 - 10:26https://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuseN3 ma 0.0199 µm², 33.55 Mb/mm² a skaluje o 5.5%.
N2 s GAA ma 0.0175 µm², 38 Mb/mm² a skaluje o 13.3%.
https://www.tomshardware.com/tech-industry/sram-scaling-isnt-dead-after-all-tsmcs-2nm-process-tech-claims-major-improvementshttps://diit.cz/clanek/centralni-ciplet-iod-zen-6-epyc-ma-vyrabet-samsung/diskuse#comment-1493248
+
Děkuji za pěknou tabulku.
Zaznělo tu že pod 7nm SRAM špatně škáluje.
Přesto se jí podařilo zmenšit z 0,027 μ² na 0,021 μ²
A to při přechodu z N6 na N5.
Mooreho zákon stále funguje.
Na čem se vyrábí CPU v mobilu Samsung S25?
Údajný takt 4,47GHz je neuvěřitelný.
Pro nás mileniály. Po downgrade u intelu máme stolní CPU na 5,7GHz. Takto blízko mobili nikdy nebyli.
>> Zaznělo tu že pod 7nm SRAM špatně škáluje.
>> Přesto se jí podařilo zmenšit z 0,027 μ² na 0,021 μ²
>> A to při přechodu z N6 na N5.
N4C má údajně přinést i zmenšení těchto prvků
SRAM se špatně škáluje asi kvůli spoustě adresních linek, samotná paměť jsou bistabilní klopné obvody, není důvod, proč ty by se nedaly zmenšovat.
Horší je DRAM, tam jsou paměťovým prvkem kapacitory čili kondenzátory a ty se IMHO zmenšují hůř - a ty paměťové linky jsou tam taky a k tomu refrešovací obvody.
A proto jsou DRAM tradičně mezi prvními věcmi na novém procesu.
PS: někdy si přečtěte kolik prvků je použito pro 1 bit SRAM. Nebo si rovnou najděte srovnání velikosti SRAM a DRAM.
A na to přišli kde? DRAM se aktuálně dělá na 1x nm procesech (tuším aktuálně 10nm)
N3 ma 0.0199 µm², 33.55 Mb/mm² a skaluje o 5.5%.
N2 s GAA ma 0.0175 µm², 38 Mb/mm² a skaluje o 13.3%.
https://www.tomshardware.com/tech-industry/sram-scaling-isnt-dead-after-...
Pro psaní komentářů se, prosím, přihlaste nebo registrujte.