Výrobce pamětí Micron předváděl, že ve vývoji FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) pamětí představuje opravdovou špičku a na letošním IDF demonstroval paměťové moduly této technologie o kapacitě 4 GB. Ty používají 1Gbitové DDR2-553MHz paměťové čipy a rozšiřují řadu modulů o kapacitách 256 MB až 2 GB, které společnost uvedla již počátkem tohoto roku. Co se týče bližších parametrů, tak zatím web výrobce mlčí.

Včera pak společnost oznámila, že začíná dodávat NAND Flash paměti o velikostech 4 a 8 Gbitů. Ty využívají napájecí napětí 3,3 V a standardní 48pinové TSOP (Thin Small Outline Package) pouzdro. 4Gbitové jsou pak k dispozici v uspořádání 512Mbit×8 (typ MT29F4G08BABWP) nebo 256Mbit×16 (typ MT29F4G16BABWP), 8Gbitové (typ MT29F8G08FABWP) pak jako 1Gbit×8. Bližší parametry nebyly prozatím zveřejněny. Využití vidí výrobce v zařízeních typu mobilních telefonů, MP3 přehrávačů apod.