V posledních dnech se s dokončenými validačními testy DDR3 pamětí u společnosti Intel doslova roztrhl pytel. Jako první oznámil svůj úspěch Hynix následovaný Samsungem. Dnes se připojuje i Micron, který též oznamuje úspěšné zvládnutí testů u Intelu, který tak posvětil pro své čipsety jejich DDR3-800 a DDR3-1066 paměťové čipy. Micron tak završuje téměř tři čtvrti roku trvající pouť od doby, kdy začal nabízet své DDR3 čipy vyráběné 78nm výrobním procesem svým partnerům. V současné době se jedná o čipy velikosti 1 Gbit v logických uspořádáních ×4, ×8 a ×16 s napájecím napětím 1,5 V. O časování se zpráva nezmiňuje, předpokládejme však referenční CL5-5-5/CL7-7-7. Micron počítá s využitím čipů na paměťových modulech velikostí od 512 MB do 4 GB a to nejen klasických unregistered, ale samozřejmě také serverové ECC registered, z hlediska velikostí pak dojde i na SO-DIMM. Počátkem příštího roku od něj můžeme očekávat 2Gbitové čipy.

Japonská Elpida pak hovoří o certifikaci svých DDR3-800/1066 přímo pro čipset Intel G33, konkrétně jde o 512Mbitové čipy vyráběné 70nm procesem a také hotové paměťové moduly o velikostech 512 MB a 1 GB, platno pro obě rychlosti. Časování opět standardních CL5-5-5/CL7-7-7. Firma se zmiňuje, že Intel již prověřuje i její DDR3-1333 paměti, 70nm čipy pak mají v budoucnu vyústit i v DDR3-1600.