Po společnosti Hynix nyní i korejský gigant Samsung oznamuje, že celkem 21 jeho DDR3 paměťových řešení prošlo úspěšně validačními testy u společnosti Intel a jsou tak plně schváleny k provozu v deskách s čipsety tohoto výrobce. Testy prošlo celkem třináct typů paměťových modulů a osm monolitických zařízení, oboje využívající 512Mbitové a 1Gbitové čipy o rychlostech DDR3-800 a DDR3-1066. Narozdíl od Hynixu však Samsung nezmiňuje blíže časování, očekávejme však předběžně shodné referenční hodnoty.

Korejský výrobce pak další své, tentokráte rychlejší DDR3 produkty předvádí dnes a zítra na probíhající konferenci WinHEC 2007 firmy Microsoft. Konkrétně jsou k vidění hi-end desktopová PC s 8 GB DDR3 pamětí sestávající ze čtyř 2GB DDR3-1333 paměťových modulů. S ohledem na předpokládané požadavky trhu plánuje Samsung rozjezd sériové výroby DDR3 čipů ještě v tomto čtvrtletí. Éra nové generace DDR pamětí začíná.