Začátkem října se japonská Elpida pochlubila, že zvládla výrobu DDR2 SDRAM pamětí 65nm technologií a slibovala, že do konce listopadu ještě postoupí k 50 nm a tak se také stalo. Dnešní datum má jejich tisková zpráva o výrobě DDR3 SDRAM 50nm technologií, stihla to tedy ještě s několikadenním předstihem. Samotné čipy, které budou menší než 40 mm², se vyrábí 193mn imersní litografií a takto „vykované“ paměti dokonce vystačí s 1,2V napájením, když norma přikazuje 1,5 V. Z produkce, která ve velkém začne už v prvním kvartálu příštího roku, vzejdou DDR3 SDRAM na efektivních taktech 800, 1 066, 1 333, 1 600, 1 866, 2 133 a dokonce i 2 500 Mbit/s s napájením 1,2, 1,3 a nebo 1,5 V. V těchto pamětech teče oproti těm vyrobených 70nm technologií poloviční proud.