FeRAM (Ferroelectric RAM) je nová generace pamětí, které se vyznačují vysokou rychlostí čtení i zápisu (až 200 MB/s) ale také vydrží desetkrát více zápisů než paměti nyní používané. Navíc vyžadují minimální množství energie a tak jsou přímo předurčeny pro mobilní zařízení jako jsou třeba mobily. Poprvé jsme vás o ní informovali v únoru, když jsme vám představili FeRAM od společnosti Toshiba. Další firmou, která s FeRAM experimentuje je Seiko Epson, která je chce představit ve středu 15. listopadu na výstavě Embedded Technology 2006 (Jokohama, Japonsko). Ráda by v brzké době dotáhla vývoj do komerční sféry.