Korejské firmy Hynix a Samsung společně investují do vývoje STT-MRAM pamětí, rychlého to nástupce současných flash, se kterými nebude problém dosahovat přenosové rychlosti v řádech stovek MB/s. Oznámila to ve čtvrtek korejská vláda, protože se jedná o státem podporovaný projekt, který běží už od roku 2004 a měl by skončit v roce 2011 s cílem získat pro korejské společnosti 40 % trhu s pamětmi nevyžadujícími k udržení informace napájení. Tento projekt vyjde v přepočtu na téměř miliardu korun a stát ho podpoří 525 milióny, když Hynix a Samsung letos a v příštím roce chtějí do společného vývoje vložit něco přes 166 miliónů korun.

Je to jejich první spolupráce od roku 1990, když spolu vyvíjely 64Mbitové DRAM v devadesátých letech. Korejská vláda si jejich počin velmi pochvaluje, protože s pamětmi korejské firmy trošku zaspaly, a proto nyní musí platit velké peníze za licence a patenty společnostem jako jsou Intel nebo Toshiba. Moc dobře si jsou vědomi, že konkurence nespí, však japonské firmy Fujitsu, NEC a Toshiba do vývoje STT-MRAM v letech 2006 až 2010 společně investují téměř půl miliardy korun. Hynix a Samsung už souhlasily s koupí patentů na PRAM (RAM pracující se změnou fáze) a CRAM (chalcogenide RAM, rovněž se změnou fáze, používající sloučeninu GeSbTe známou třeba z CD-RW a DVD-RW), na kterých se rovněž podílel stát.