Společnost Hynix Semiconductor představila světu novou rodinu paměťových modulů typu DDR2-800, které dostaly do vínku nejnovější firemní technologii v podobě 1Gbitových DDR2 paměťových čipů vyráběných 60nm výrobním procesem. Kromě zmenšení rozměrů, snížení spotřeby a vyzařovaného tepla uvádí Hynix také logické snížení výrobních nákladů až o 50 % oproti dosavadnímu 80nm výrobnímu procesu. Příslušné běžné „unbuffered“ paměťové moduly o velikostech 1 a 2 GB prošly při efektivní pracovní frekvenci 800 MHz i testy u společnosti Intel, takže vše je na dobré cestě.

Dle serveru Digitimes uvádí zástupci Hynixu, že s těmito čipy nebude problém vyrábět i 4GB paměťové moduly v rozumné cenové kategorii a také paměti typu Registered DIMM a FB-DIMM. Stejně tak lze tyto menší čipy použít pro výrobu VLP modulů vyznačujících se výškou pouhých 18,3 mm. Momentálně jsou k dispozici omezená množství čipů, náběh sériové výroby je předběžně plánován na první polovinu příštího roku. Využití naleznou zpočátku na paměťových modulech pro notebooky a také na (pomalejších) grafických kartách.