Firmy Infineon a Micron minulý týden podepsaly dohodu o vzájemné spolupráci při vývoji vysokokapacitních SIM (subscriber identity module) karet (HD-SIM) s kapacitami kolem 128 MB. Chtějí tak vyjít vstříc mobilním operátorům, kteří chtějí nabízet další služby, jako je bankovnictví nebo nákup lístků atd., které sebou nesou potřebu větší kapacity. Tu chtějí právě obě firmy nabídnout, když spojí řadič Infineon a novou NAND flash paměť Micron, kterou chce vyrábět 50 a 34nm technologií. Mimo vysokou kapacitu nabídnou tyto SIM karty i kontrolu parity se samoopravnými kódy, vyšší úroveň řízení spotřeby elektrické energie (1,8 až 3,3 V) a pro výrobce rovněž nabídne jednoduchý přechod z NOR architektury na NAND včetně potřebného API a softwarového vybavení. V plánu už jsou 2GB SIM, prototypy této 128MB mají být k dispozici na podzim příštího roku.