Infineon Technologies oznámila dostupnost nové řídící logiky pro pevné disky integrované v jednom obvodu vyráběném 90nm CMOS výrobním procesem. To sebou samozřejmě ponese snížení spotřeby či možnost vyšších přenosových rychlostí. Celý vývoj probíhal ve spolupráci s Hitachi Global Storage Technologies. První testovací vzorky byly schopny dosáhnout až na frekvence 3,6 GHz. Data se dařilo posílat rychlostí až 2,7 Gbitů/s, což dle Infineonu představuje nárůst přibližně o 50 % oproti dřívějším systémům vyráběným 130nm procesem.

Nová řídící logika podporuje i řadu chystaných prvků pro pevné disky v čele třeba s technologií kolmého záznamu, jejímž je Hitachi koneckonců popularizátorem. Technologii Infineonu je možné nasadit v pevných discích pro všechny segmenty trhu (Desktop, Mobile, Enterprise i Ultra Low-Power). Současně obě společnosti pracují na „druhé generaci“, určené pro zařízení napájená z akumulátorů/baterií (jako třeba přenosné počítače všech kategorií či mobilní telefony). Čipy lze vyrábět v továrnách po celém světě, momentálně tuto technologii nabízí továrny Infineonu v Drážďanech a UMC na Taiwanu.