Úspora přitom nespočívá v nižším napětí (pracují s tradiční hodnotou 1,35 V), ale v šetření energie v klidu, kdy paměti nic nedělají. Jak asi víte, i paměti, které zrovna nic nedělají, potřebují svůj obsah uchovávat, a to neustálým obnovováním. A právě zde se podařilo Micronu ušetřit polovinu energie oproti klasickým DDR3L, kdy 4Gbitové čipy dosahují pouze 3,7mA I_DD6 (self-refresh power) ve stand-by.

Micron nyní nabízí vzorky DDR3Lm čipů na 30nm-class výrobním procesu (tedy cokoli od 30 do 39 nm) a příští kvartál hodlá rozjet velkovýrobu. Jde o 2Gbitové a 4Gbitové čipy zvládající rychlosti až 1 600 MT/s (tedy je možné z nich dělat DDR3-1600 paměťové moduly). Jak tvrdí Micron, hodí se především do tabletů a jiných ultratenkých řešení, kde je výdrž na baterie kriticky důležitá (tudíž se z toho nutně nemusí dělat paměťové moduly, nebývá výjimkou, že se v takovýchto zařízeních pájí čipy přímo na desku – někdy se bohužel takto řeší i SSD, což ovšem nelze s ohledem na jejich omezenou životnost nazvat jinak než kurvítkem ;).