Po společnostech Samsung, Elpida či Infineon se na pole DDR3 pamětí v „klasickém provedení“ pro základní desky pouští i další známý výrobce, společnost Nanya. Ta nyní během výstavy SemiTech Taipei 2006 oznámila, že ve druhém pololetí tohoto roku začne svým partnerům dodávat první vzorky těchto pamětí.

Bude se jednat o paměti s rychlostí v rozsahu DDR3-800 až DDR3-1600 při časování v rozpětí CL5 až CL10. Napájecí napětí má hodnotu 1,5 V, výroba zatím probíhá 90nm procesem, přičemž ve chvíli přechodu na sériovou výrobu plánuje Nanya přechod na 70 nm. S tím však počítejme až v roce 2008. Nanya do svých čipů dále integruje technologie pro úsporu energie jako PASR (Partial Array Self Refresh) a ASR (Auto Self Refresh), čipy mají být k dispozici ve dvou pouzdrech: 78pinové FBGA pro čipy se ×4 a ×8 uspořádáním a 96pinové FBGA pro ×16 uspořádání. Na výše zmiňované výstavě pak společnost ukazovala 240pinový DDR3 Unbuffered modul s kapacitou 1 GB nesoucí 512Mbitové DDR3-1066 čipy.