Nové 512GB SSD Samsung s DDR NAND v červenci
Samsung začne od července s prodejem nových SSD datových úložišť používajících jeho nejnovější 32Gbitové NAND flash čipy vyráběné 30nm technologií, jež poprvé z jeho výrobních linek sjely loni v listopadu. Mimo faktu, že jsou to čipy rozměrem menší, vezmou si také méně energie v porovnání s dříve používanými 16Gbitovými na 40nm technologii. A právě nižší spotřeba je, mimo jiné, vlastností tzv. DDR NAND přepínače, kdy SSD umí vyhodnotit frekvenci používání tohoto datového úložiště a pokud to uživatel nastaví, měla by mu tato technologie prodloužit práci s notebookem bez externího zdroje až o jednu hodinu (nijak blíže to nespecifikují, my to budeme považovat za maximum). Tyto nové SSD bude nabízet s kapacitou od 64 do 512 GB, zatím ale nikde nebyla zmínka o ceně. SSD samozřejmě podporují TRIM i 256bitové AES. Pro sekvenční čtení 250 MB/s a zápis 220 MB/s je tu SATA 3.0 Gbit/s rozhraní.