Nové nejvyšší ARM SoC od Qualcommu dostalo do vínku pracovní frekvenci čipu až 2,4 GHz. Přesto Qualcomm hovoří o nižší celkové spotřebě čipu, takže se daří dále vylepšovat kvalitu výrobního procesu. Výkon, jak již zaznělo, bude dosahovat ~110 % modelu Snapdragon 820, který běží na taktu až 2,2 GHz.

Výroba probíhá 14nm FinFET procesem, což opět evokuje továrny jihokorejského Samsungu. Nový model, jak ostatně naznačuje jen minoritní změna v číslování, je pouhým drobným vylepšením předchozího, možná jde jen o lepší čipy z waferů, které lépe snáší vyšší frekvence. Qualcommu se tak nejspíš podaří udržet výraznou pozici v hi-endu, kde Snapdragon 820 nalezneme ve více než 115 smartphonech, mimo jiné Samsung Galaxy S7 a S7 Edge, Xiaomi Mi5, LG G5, HTC 10, LeEco LeMax 2 či Sony Xperia X.

Vedle čtveřice Qualcommem upravených CPU jader Kryo můžeme opět čekat GPU Adreno 530 či X12 LTE modem s podporou rychlostí až 600 Mbit/s, signálový koprocesor Hexagon 680 či podporu až 25Mpix fotoaparátů. A samozřejmě na druhou stranu také podporu rychlodobíjecí technologie Qualcomm Quick Charge 3.0.