TSMC se v posledních letech podařilo učinit několik významných kroků, kterými si upevnila svoji pozici polovodičového leadera. Což na druhou stranu znamená, že Samsung v tomto ohledu čím dál významněji ztrácí. Připomeňme, že TSMC již léta zajišťuje pouzdření čipů s HBM pamětmi, což jsou zpravidla ty nejdražší a nejlukrativnější produkty na polovodičovém trhu. Nebo že získala zákazníky jako AMD (procesory) a poté také Intel, který chtě-nechtě musí využívat její technologie, protože vlastní procesy mu na udržení kroku s AMD nestačí. To jediné, co Samsung na tomto lukrativním trhu nabízel, byly HBM paměti, což je navíc záležitost paměťové divize společnosti.

Aby se polovodičová divize technologicky udržela, připravila významné investice a rozšíření nabídku služeb. Vzpomenout můžeme třeba balíček pro AMD, jehož součástí jsou dodávky HBM3 kombinované s pouzdřením čipů. Samsung by ale rád oslovil také Intel, pročež chystá technologii nazvanou Cache DRAM.

Jde o paměťové řešení, které působí trochu jako hybrid mezi AMD V-cache a HBM. S V-cache má společné to, že se vrství přímo na křemík čipu (nikoli vedle jako HBM) a s HBM má zase společné to, že jde o DRAM, nikoli o SRAM (jako V-cache). Protože je blíže čipu (než HBM), umožňuje snížit energetické nároky až o 60 % a latence až o 50 %.

Bližší informace zatím nejsou k dispozici, ale protože popis technologie působí ve smyslu, že jde o jedinou vrstvu (což dává smysl i s ohledem na chlazení), bude kapacita podstatně nižší než v případě HBM. Což naznačuje i ono „cache“ v názvu.

Lze předpokládat, že toto řešení bude, podobně jako V-cache, ve světě procesorů nabízet lepší poměr cena / výkon, neboť náklady na HBM jsou vůči ceně procesorů (která je podstatně nižší než cena akcelerátorů) velmi vysoké a spektrum aplikací, které z propustnosti HBM (v procesorech) těží není příliš široké. Samsung proto může předpokládat, že pro Intel bude Cache DRAM zajímavá alternativa k AMD V-cache.