Sotva před pár týdny jsme psali, že přechod na 50 nm bude výrobce něco stát a už tu máme aktualizaci přímo z tiskového oddělení Samsung Semiconductors. Firma právě startuje dodávky testovacích vzorků 50nm DDR3 paměťových čipů. Konkrétně jde o 2Gbitové čipy, s nimiž nebude problém poskládat i 16GB Registered moduly (bez MetaRAM, avšak použitím dvou die v jednom pouzdře), jinak firma samozřejmě počítá i s menšími, přímo pak hovoří i o 4GB SO-DIMM modulech, které tak krásně sednou do notebooků s čipsetem Intel PM45. Rychlostně tyto nové čipy zvládnou DDR3-1333 při napájení 1,5 V nebo dokonce i pouze 1,35 V.