Samsung vyrábí první 20nm LPDDR4 s 8Gbit kapacitou
…tabletů, ale třeba i chytrých hodinek nebo další nositelné elektroniky. Díky novějšímu výrobnímu procesu umožňují zvýšit kapacitu v rámci dostupného prostoru a hlavně snížit spotřebu oproti klasickým DDR4 i LPDDR3, které Samsung nabízel doposud. LPDDR3 vyráběl na 20nm-class procesu, to znamená cosi v rozmezí 21-29 nanometrů (pravděpodobně 28nm proces).
Podle výkonného viceprezidenta paměťové divize Samsungu dosahují tyto čipy vyššího výkonu než paměti běžně používané v desktopu i serverech (zřejmě má na mysli DDR3), oproti nimž mají mnohem nižší spotřebu. Předpokládá proto, že se rozšíří hlavně v souvislosti s nástupem mobilních UHD / 4k zařízení.
Nové LPDDR4 dosahují dvojnásobné hustoty záznamu i dvojnásobného výkonu oproti 4Gbit LPDDR3, konkrétně až 3200 Mbit/s oproti až 1600 Mbit/s. Sníženo bylo napájecí napětí - dosahuje nyní 1,1 V, což činí z těchto LPDDR4 zařízení využívající nejnižšího napětí ze všech paměťových řešení od Samsungu. Konkrétní úspora energie dosahuje kolem 40 %, pokud porovnáváme 8Gb LPDDR4 ve 2GB provedení s 4Gb LPDDR3 v kapacitně totožném 2GB provedení. LPDDR4 navíc disponují vyšší paměťovou propustnosti (jaké konkrétní rychlosti Samsung srovnával, zpráva neuvádí, ale je zjevné, že nešlo o srovnání na stejných taktech - to by úspora LPDDR4 byla ještě vyšší).
Společnost aktuálně uvedla 2GB LPDDR4 a 3GB LPDDR4 DRAM provedení postavená na 8Gb a 6Gb LPDDR4 křemíkových „kostičkách“. 4GB LPDDR4 varianta bude k dispozici začátkem roku 2015.