Společnost Samsung Semiconductor oznámila, že získala u Intelu certifikaci pro své efektivně 800MHz DDR2 paměťové čipy vyráběné pokročilým 50nm procesem. Jedná se konkrétně o čipy velikosti 1 Gbit, které firma vyvinula již v říjnu loňského roku. Díky použitému výrobnímu procesu se méně hřejí a mají menší spotřebu. Současně jsou daleko menší, Samsung uvádí, že jejich produkce na používaných křemíkových deskách je oproti předchozím 80nm čipům zhruba dvojnásobná, co se objemu týče. Současně se jim podařilo o 50 % navýšit efektivitu výroby oproti 60nm procesu. Zpráva přichází v době, kdy se všeobecně očekává přechod největší poptávky od 512Mbitových na 1Gbitové čipy (doprovázený však i nástupem DDR3 pamětí). Tyto nové 50nm čipy začne Samsung sériově vyrábět v první polovině příštího roku.