Společnost Samsung představila světu novou technologii výroby NAND flash paměti nazvanou Charge Trap Flash (CTF). Ta slouží ke snižování emitovaného elektromagnetického šumu mezi jednotlivými paměťovými buňkami. Při výrobě testovacích vzorků NAND flash paměťových čipů totiž firma používá 40nm výrobní proces, při kterém jsou si paměťové buňky znatelně blíže než třeba při běžné 90nm výrobě, takže CTF je v podstatě pro správnou funkčnost nezbytná. I díky ní Samsung uvádí pro tyto paměti zvýšení výkonu a současně zefektivnění výroby. Stejná technologie pak bude používána v budoucnu pro 30 a 20nm výrobní procesy.

Prozatím se Samsungu podařilo vyrobit paměťové čipy o velikosti 32 Gbitů ve kterých logická hradla CTF zabírají pouze pětinu prostoru ve srovnání s dosud užívanými „konvenčními“ ekvivalenty této technologie, přičemž ukládání dat probíhá za pomoci dočasné flash „mezipaměti“. 32Gbitový čip pak lze použít k výrobě paměťových zařízení s kapacitou až 64 GB. Tedy kapacitou více než dostatečnou pro jakékoliv fotoaparáty, MP3/Video přehrávače, či v jistých případech i notebooky. Na reálné nasazení do výroby si ale ještě nějaký ten pátek počkáme, prozatím je vše ve stádiu funkčních prototypů.