Společnost Samsung dnes představila světu nový paměťový čip K4V1G323PC-6GC6 o kapacitě 1 Gbit určený pro nasazení v mobilních zařízeních. Přesněji jde o DDR paměť vyráběnou 80nm výrobním procesem využívající uspořádání „dvojité die“ (bez bližšího upřesnění).Tuto výrobní technologii použila firma Samsung již u předchozího 1Gbit čipu, oproti běžně používanému Multi-Level Cell (MLC, v jednom pouzdře navrstveno více čipů) provedení šetří zhruba 20 % tloušťky čipu. Proti předchozí generaci však nově přibyl vnitřní systém monitorování teploty, který je využíván při optimalizaci self-refresh cyklů během standby módu. Ve výsledku dle výrobce díky této technologii vykazuje čip až o 30 % nižší proudový odběr právě ve standby režimu.

Samotný paměťový čip pak může být dále kombinován v jediném fyzickém pouzdře spolu s flash pamětí, což je pro výrobce zařízení typu mobilních telefonů, PDA či digitálních fotoaparátů a MP3/DivX přehrávačů daleko příjemnější. Počítá se i s výrobou více obvodů nesoucích v pouzdře dva čipy, jejich celková kapacita má být 1,5 a 2 Gbity. Právě po paměťových obvodech této velikosti očekává Samsung zvýšení poptávky mezi výrobci mobilních zařízení někdy v průběhu příštího roku. Rozjezd výroby je pak plánován na druhé čtvrtletí.