Samsung rozjel výrobu 2Gb DDR3 40nm technologií
Sedm měsíců firmě Samsung trvalo, než od vývoje dovedli 40nm výrobu 2Gbitových DDR3 paměťových čipů do výroby a jsou tak první na světě, kdo takové šváby může nabídnout. S přechodem na 40 nm zvýší produktivitu oproti 50nm výrobnímu procesu až o 60 %, což by mohlo znamenat, že se DDR3 paměti mohou začít i výrazně zlevňovat, ale to zatím necháme koňovi. Samsung nyní bude s těmito čipy nabízet 16GB, 8GB a 4GB Registered DIMM pro servery, Unregistered DIMM pro pracovní stanice a stolní počítače, stejně jako SO-DIMM pro notebooky s kapacitou až 4 GB. 2Gbitové čipy jsou i méně energeticky náročné, vystačí si s napájením 1,35 V a mají přenosovou rychlost až 1,6 Gbit/s.
Podle odhadů společnosti iSuppli se DDR3 paměti stanou už v roce 2010 mainstreamem a o dva roky později již obsadí 82 % trhu.