Samsung rozjíždí 80nm výrobu 1Gbitových DDR2 pamětí
Dle některých zdrojů rozjíždí společnost Samsung výrobu 1Gbitových DDR2-667 čipů s označením K4T1G084QC-ZCE6 (byť její web zatím mlčí). Ty v počtu šestnácti na jednom paměťovém modulu dávají kapacitu 2 GB (tedy pro dvoukanálový kit 4 GB). Běží sice na frekvenci, která overclockery nijak neuspokojí, stejně jako „konzervativní“ časování CL5-5-5, ale zas to vynahrazují kapacitou. Napájecí napětí je standardních 1,8 V, čipy používají pouzdro FBGA.
Firma přitom využívá 80nm výrobní proces, který zajišťuje dostatečné zmenšení velikosti čipů. Oproti 90nm výrobě se zmenšila z 11×18 mm na 11×11,5 mm (srovnání velikosti s DDR2-533, CL4-4-4 čipem K4T1G084QA-ZCD5 vidíte na fotografii). To sebou nese i další pozitiva v čele s nižší spotřebou a tepelným vyzařováním (při rychlosti DDR2-667 to však není problém) a konče třeba nižší cenou pro výrobce modulů oproti 90nm čipům. Jak rychle výrobci 2GB paměťové moduly pustí do prodeje v dostatečném množství, zatím můžeme jen odhadovat. Skoro jistě se tak ale stane nejpozději po uvedení Windows Vista na trh.