Společnost Samsung Electronics před pár dny oznámila, že začíná sériovou výrobu 1Gbitových DDR2 paměťových čipů za pomoci 90nm výrobního procesu. Poslední měsíc prošly tyto Samsung 1Gb DDR2 400/533 i kvalitativními testy u Intelu. Dle analytiků z agentury Dataquest poroste trh 1Gbitových DRAM pamětí velmi rychle ze současných 1,3 miliardy dolarů za rok 2005 až na 17 miliard v roce 2008. Sama společnost Samsung očekává, že tyto čipy budou jedním z vedoucích produktů pro příští dva roky. V posledním čtvrtletí tohoto roku chce společnost Samsung mít výrobní produkci u těchto čipů na hodnotě jednoho miliónu kusů měsíčně.

Parametry jsou následující: struktura 32M×4×8, 16M×8×8 (pouzdro 68-ball FBGA) nebo 8M×16×8 (pouzdro 84-ball FBGA), napájení 1,8 V, časování CL3-3-3 resp. CL4-4-4 při 400 resp. 533 MHz, průměrná obnovovací doba 7,8 µs při teplotách 0 až 85°C a 3,9 µs při teplotách 85 až 95°C.