Společnost Samsung se pochlubila s nejnovějším pokrokem ve výrobě DDR2 paměťových čipů. Zhruba půl roku od rozjezdu výroby těchto čipů 60nm procesem firma pouští na trh čipy o velikost 2 Gbit. Ty tak představují nejen nárůst kapacity vyráběné touto technologií na dvojnásobek, ale také výrazný pokrok oproti dosavadním 80nm 2Gbit čipům. Oproti nim totiž roste rychlost o 20 % na hodnotu DDR2-800 s časováním CL5-5-5, navíc díky pokročilejší výrobě stoupla výtěžnost o zhruba 40 % a současně dále klesá spotřeba pamětí. Firma hodlá na bázi těchto čipů uvést do prodeje jak serverové Fully Buffered (FB-DIMM) a Registered DIMM o velikosti až 8 GB, tak i klasické desktopové DDR2-800 moduly o velikosti 4 GB a kapacitně shodné SO-DIMM paměti pro notebooky a další zařízení. Sériová výroba se má rozjet ještě v tomto roce, trh zkoumající agentury pak odhadují, že trh 2Gbitovými čipy dosáhne objemu 14 miliard USD, tedy 47% podílu, a to do roku 2011.