Přibližně čtyři měsíce od doby, kdy v laboratoři zvládli 50nm výrobní proces a právě půl roku od spuštění sériové výroby DDR2 pamětí 80nm výrobním procesem oznamují nyní zástupci společnosti Samsung, že opět o něco pokročili. Firma spouští pokročilejší sériovou výrobu týchž DDR2 paměťových čipů, tentokrát již 60nm procesem. Jde rovnou o celou produktovou řady typů DDR2-667 a DDR2-800, konkrétně tedy čipy pro paměťové moduly o celkových velikostech 512 MB a 1 a 2 GB, z čehož jasně plyne i budoucí dostupnost dvoukanálových kitů o celkové velikosti 4 GB.

Při výrobě je pak používána stejná firemní technologie 3D tranzistorů, jako je tomu u zmiňovaného 50nm procesu, technologie RCAT (Recess Channel Array Transistor), kterou firma používá již od 90nm časů, pak stojí za dvojnásobným zrychlením refresh cyklu. 60nm výrobní proces si však vyžádal novou technologii výroby kondenzátorů v takto malých čipech, označovanou jako metal-insulator metal (MIM), navíc je využita i novinka v podobě Selective Epitaxial Growth (SEG), která poskytuje širší elektronové kanály čímž je optimalizována rychlost pohybu elektronů. V důsledku toho dosahují čipy vyššího výkonu a ruku v ruce s tím i nižší spotřeby. Menší výrobní proces pak samozřejmě také zvyšuje počet čipů na křemíkových deskách, což nadále snižuje výrobní náklady.